三星這兩年把半導體代工業務作為重點來抓，今年率先推出了 7nm EUV 工藝，搶在了臺積電、GlobalFoundries 及英特爾前面。如今這幾家半導體制造公司都要依賴 FinFET 晶體管工藝，除了英特爾之外，三星是最早進入 FinFET 工藝的廠商之一，但是他們的 FinFET 工藝也惹上了麻煩，上周末被美國法院判決侵犯了韓國科學技術院的專利，需要賠償 4 億美元，三星表示不服。

三星與韓國科學技術院（KAIST）在 FinFET 工藝上的爭論由來已久，KAIST 在訴訟中表示當時還在 KAIST 工作的教授 Lee Jong-ho 在 2001 年向三星展示過 FinFET 技術，三星起初對 FinFET 工藝并不上心，但是后來看到英特爾的 FinFET 量產之后也加快了 FinFET 工藝開發，三星使用了 Lee Jong-ho 教授的 FinFET 工藝為基礎改進 FinFET 工藝，最終在 2011 年推出了跟 Lee Jong-ho 教授研發的 FinFET 工藝相近的 FinFET 技術。

KAIST 就這樣跟三星結下了梁子，2016 年 KAIST 在美國德州的知識產權局起訴了三星，宣稱三星的 FinFET 工藝侵犯了他們的專利權。三星回應稱他們是跟 KAIST 合作開發的 FinFET 工藝，并質疑后者的 FinFET 專利有效性，不過陪審團沒有認可三星的辯護，最終在上周判決三星侵犯 KAIST 的 FinFET 專利權成立，需要賠償 KAIST 大概 4 億美元。

陪審團認為三星侵權是 " 故意的 "，所以這個 4 億美元的賠償還不是最終的，有可能被重罰到 12 億美元。

三星這邊對判決表示不服，表示將會考慮所有可能的選擇來獲得合理的結果，包括上訴。

此外，這起侵權案中還涉及到了高通及 GlobalFoundries，他們也被判侵權成立，不過法院沒有要求他們賠償任何損失。

【來源：超能網】