全球半導(dǎo)體產(chǎn)能不足在過(guò)去的一年里已經(jīng)不是什么大新聞，不斷增長(zhǎng)的需求使得供應(yīng)短缺情況進(jìn)一步加劇。不少晶圓生產(chǎn)廠(chǎng)商都選擇擴(kuò)充產(chǎn)能，比如新建晶圓廠(chǎng)，以滿(mǎn)足市場(chǎng)的需要。三星在今年就宣布，未來(lái)十年將投資1515億美元用于晶圓廠(chǎng)的建設(shè)。

圖：三星在韓國(guó)京畿道華城市建設(shè)中的Fab

據(jù)TomsHardware報(bào)道，近日三星高管在會(huì)議上表示，計(jì)劃通過(guò)原晶圓廠(chǎng)擴(kuò)建和新建晶圓廠(chǎng)，大幅度提升產(chǎn)能。到2026年，產(chǎn)能將是目前的三倍，盡可能滿(mǎn)足客戶(hù)需求。目前三星已經(jīng)在韓國(guó)京畿道平澤市建造一座全新的晶圓廠(chǎng)，接下來(lái)可能會(huì)在美國(guó)德克薩斯州有同樣的行動(dòng)。需要在四年時(shí)間里，將產(chǎn)能增加兩倍，三星看起來(lái)對(duì)未來(lái)非常樂(lè)觀。三星是世界第二大晶圓代工廠(chǎng)，僅次于臺(tái)積電（TSMC），目前擁有100多個(gè)客戶(hù)。

除了產(chǎn)能，三星也在推進(jìn)工藝的研發(fā)。三星將會(huì)在3nm制程節(jié)點(diǎn)引入了全新的GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管工藝，第一代3nm工藝已推遲到2022年上半年量產(chǎn)，而第二代3nm工藝將會(huì)在2023年量產(chǎn)。三星表示，與原來(lái)的5nm工藝相比，首個(gè)采用采用MBCFET工藝的3nm GAA制程節(jié)點(diǎn)的芯片面積減少了35%，性能提高30%或功耗降低50%。此外，三星也沒(méi)有放棄對(duì)現(xiàn)有工藝的改進(jìn)，之前推出了用于CIS、DDI、MCU的17LPV工藝，在28nm工藝基礎(chǔ)上加入了14nm工藝使用的FinFET工藝技術(shù)，以相對(duì)低成本享受到新的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

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