當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月17日，據(jù)eeNews報(bào)道，美光科技公司表示，它將于今年晚些時(shí)候開(kāi)始出貨其下一代 3D-NAND 內(nèi)存組件，即 232 層設(shè)備。

美光負(fù)責(zé)技術(shù)和產(chǎn)品的執(zhí)行副總裁Scott DeBoer披露了未來(lái)十年的3D-NAND路線圖，該路線圖將超過(guò)400層。

圖源：美光

在3D-NAND 生產(chǎn)中，美光已經(jīng)在 96 層和 176 層閃存芯片上占據(jù)強(qiáng)勢(shì)地位。DeBoer 表示，該公司將在 2022 年晚些時(shí)候開(kāi)始增加 232 層閃存的制造規(guī)模。這將使該公司在市場(chǎng)上具備明顯的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

該公司展示了一款帶有三層單元的1Tbit 3D-NAND存儲(chǔ)器芯片，但DeBoer表示，美光的重點(diǎn)將包括保持每個(gè)單元4bit的領(lǐng)先地位。

該存儲(chǔ)器將包括CMOS下的陣列技術(shù)和雙堆棧機(jī)制。DeBoer還稱(chēng)，與176層的版本相比，232層的版本將提供更高的密度、功率和帶寬，性能細(xì)節(jié)將在后期公布。

此外，基于更高容量3D-NAND器件的固態(tài)硬盤(pán)預(yù)計(jì)將在2023年推出。

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