集微網消息，三星電子今（12）日宣布已開始量產基于極紫外光(EUV)制程技術的14納米 DRAM，繼該公司于去年3月推出業界首款EUV DRAM后，三星已將EUV層的數量增加到5層，以為其DDR5解決方案提供當今最好、最先進的DRAM工藝。

據悉，隨著DRAM不斷縮小，EUV技術對于提高圖形精度以獲得更高性能和更高產量變得越來越重要。三星電子在14納米 DRAM上使用了5層EUV，實現了最高的位密度，同時將整體晶圓生產效率提高了約20%。此外，與上一代DRAM節點相比，14納米工藝可以降低近20%的功耗。

根據最新DDR5標準顯示，三星的14納米DRAM將開創過去產品所未有的傳輸速度，速度高達7.2Gbps，是DDR4的兩倍多。

三星計劃擴大其14納米DDR5產品組合，以支持數據中心、超級計算機和企業服務器應用。此外，三星希望將其14納米DRAM芯片密度提高到24Gb，以更好地滿足全球IT系統快速增長的數據需求。

三星電子高級副總裁兼 DRAM 產品與技術負責人 Jooyoung Lee 表示：“通過開創性的關鍵模式技術創新，我們已經引領了近30年的DRAM市場。如今，三星正在通過多層EUV建立起另一個技術的里程碑，實現更加微型化的14納米工藝，這是傳統氟化氬 (ArF) 制程無法做到的。在此基礎上，我們將繼續為 5G、AI 和虛擬世界中需要更高性能和更大容量的數據驅動計算，提供最具差異化的內存解決方案。”

【來源：集微網】