三星宣布，其位于韓國的華城工廠開始生產(chǎn)3nm芯片。這是目前半導(dǎo)體制造工藝中最先進(jìn)的技術(shù)，三星也成為了全球唯一一家提供采用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架構(gòu)晶體管技術(shù)，提供3nm工藝代工服務(wù)的代工企業(yè)。

三星3nm GAA工藝初期主要針對(duì)高性能計(jì)算（HPC）的系統(tǒng)芯片，隨后會(huì)擴(kuò)展到移動(dòng)SoC。三星表示，與原來采用FinFET的5nm工藝相比，初代3nm GAA制程節(jié)點(diǎn)在功耗、性能和面積（PPA）方面有不同程度的改進(jìn)，其面積減少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm芯片，面積減少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。

這也是三星首次實(shí)現(xiàn)GAA“多橋-通道場效應(yīng)晶體管（MBCFET）”應(yīng)用，打破了FinFET原有的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時(shí)還通過增加驅(qū)動(dòng)電流增強(qiáng)芯片性能。三星電子代工業(yè)務(wù)部總經(jīng)理崔時(shí)榮表示，希望通過率先采用新工藝?yán)^續(xù)保持半導(dǎo)體行業(yè)前沿地位，同時(shí)會(huì)積極創(chuàng)新，建立有助于加速技術(shù)成熟的流程。

自2021年第三季度以來，三星電子一直通過與ANSYS、楷登電子、西門子和新思科技在內(nèi)的三星先進(jìn)晶圓代工生態(tài)系統(tǒng)SAFE（Samsung Advanced Foundry Ecosystem）合作伙伴的緊密協(xié)作，提供成熟的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施，使其能夠在更短的時(shí)間內(nèi)完善其產(chǎn)品。

【來源：超能網(wǎng)】