當地時間6月12日，三星電子在加州圣何塞的設備解決方案美國總部舉辦三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum, SFF)，公布了其最新代工技術路線圖和成果。

第一財經記者獲悉，三星公布了兩個新工藝節點，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工藝，采用背面電源輸送網絡（BSPDN）技術，計劃在2027年大規模生產。SF4U則是4nm工藝變體，通過結合光學縮放技術改進功率、性能和面積（PPA），該工藝計劃于2025年量產。此外，三星重申，公司對SF1.4（1.4nm）的準備工作進展順利，正在按計劃達成性能和量產目標，預計該工藝將于2027年量產。

其中，SF2Z的BSPDN技術將電源軌置于晶圓背面，以消除與電源線和信號線有關的互聯瓶頸。據三星介紹，與第一代2nm技術相比，這種做法提高了PPA并顯著降低了電壓降（IR drop），提高了高性能計算（HPC）的性能。

第一財經記者獲悉，三星在SFF上還介紹了采用2nm GAA工藝的多個SF2版本，其中，SF2X、SF2Z可面向高性能計算、人工智能應用，SF2A可面向汽車應用。

三星稱，公司正致力于超越摩爾定律，通過材料和結構創新塑造1.4nm以下的工藝技術。

技術路線上，三星重點介紹了全環繞柵極（GAA）工藝技術的進展。三星的GAA工藝已進入量產的第三年，從產量和性能看，該工藝表現出一定的成熟度。基于GAA技術演進，三星計劃在今年下半年量產第二代3nm工藝（SF3），并計劃在即將推出的2nm工藝上采用GAA。三星表示，2022年以來，其GAA產量穩步增長，GAA產量有望在未來幾年大幅增長。

三星強調了GAA技術的成熟度，表示GAA工藝的進步正在滿足芯片的功率和性能需求，這是滿足AI需求的關鍵技術。三星電子相關負責人表示，滿足AI需求的關鍵在于提供高性能、低功耗的半導體，除了已證明適用于AI芯片的GAA工藝，三星還計劃引入集成的CPO（光電共封裝），用于高速、低功耗的數據處理。

三星還發布了AI Solution人工智能平臺，針對特定客戶的AI需求提供高性能、低功耗、高帶寬解決方案，并計劃在2027年推出集成CPO的一站式AI解決方案。

此外，三星還透露，在過去一年中，三星代工的AI銷售額增長了80%。

隨著AI需求增長及芯片制程要求提高，晶圓制造廠正在加碼先進工藝迭代。三星5nm工藝此前曾遭遇挫折，因良率不及預期一度影響客戶出貨。2022年，三星電子3nm工藝開始初步生產。GAA被認為是在更先進工藝制程中替代FinFET（鰭式場效應晶體管）的技術。

作為三星的競爭對手，臺積電計劃在2025年生產2nm制程芯片。英特爾2021年則提出“四年五個節點”計劃，即四年內完成Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A、Intel 18A（可對應7nm～1.8nm工藝）五個節點，于2025年重獲制程領先性。

據集邦咨詢報告，2024年第一季度，臺積電是全球營收最高的晶圓代工廠，三星、中芯國際營收分別名列第二、第三，三者市占率分別為61.7%、11%、5.7%。與上一個季度相比，臺積電市場份額增長了0.5個百分點，三星下降了0.3個百分點。

【來源： 第一財經資訊】