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持續近一個月的華為P10“閃存門”事件剛剛有了些許風平浪靜，類似的問題就再次出現在了三星最新一代旗艦手機Galaxy S8上。同樣的問題接連出現，著實讓人有些緩不過神來。【疏油層事件之后華為再陷“閃存門”：弄虛作假還是友商丑化？】

日前，一位 lch920619x的技術愛好者在知名技術論壇 xda上發表了一些自己的研究發現。該網友購買的 Exynos 8895 版 Galaxy S8 （SM-G950FD）所采用的是 UFS 2.1 閃存（型號 KLUCG4J1ED – B0C1）。不過，他懷疑其他機友可能存在不同情況，于是便發起調查，呼吁大家對手上的 S8 和 S8+ 進行測試。

之后，部分機友通過測試后發現，S8 竟然混用了 UFS 2.0 和 UFS 2.1 兩種閃存，只有 S8+ 使用了 UFS 2.1 閃存。然而，三星的官方介紹中卻并沒有具體區分 UFS 閃存的介紹，所有宣傳介紹都是“UFS 2.1”。

更有意思的是，在美國等海外國家和地區，三星竟然還悄悄地修改了UFS 2.1 在參數信息中的介紹，甚至刪去了UFS 2.1閃存的描述。如果沒有問題，三星又為何在這款新機上市之際，悄悄修改新機的配置描述，這未免有些此地無銀三百兩的味道。

要知道，在這款旗艦新機當中，三星可是把UFS 2.1閃存當作Galaxy S8的重點來做宣傳的。然而在實際當中，卻存在UFS 2.1和UFS 2.0混用的現象。宣傳和實際不符，這難免讓人質疑，三星在Galaxy S8的配置上或許存在嫌疑的嫌疑。

綜合來自于各方的消息報道發現，配置更高、價格更貴的 Galaxy S8+ 幾乎全部使用了 UDS 2.1，Exynos 8895 版S8雖然也存在UFS 2.0和 UFS 2.1 混用的情況，但對UFS 2.0采用的占比相對較少，情況最為嚴重的是高通驍龍835版S8，UFS 2.0和 UFS 2.1的混用情況幾乎是一半對一半。

在性能上，UFS 2.0 和 UFS 2.1 確實存在一定差異，前者的讀取速度在 500MB/s- 600MB/s左右，后者的讀取速度則在750MB/s-800MB/s 左右。雖然性能確實存在差異，但在實際使用中大多數消費者是區分不出來的。

在本月18日，三星將在北京舉辦發布會正式推出國行Galaxy S8。不知道，在這場發布會上，三星是否會就閃存混用問題做出回應。畢竟，在三星S8之前華為P10已經出現了類似的問題，此時此刻三星應該從中吸取教訓：在很多時候，解決問題的態度要比具體方法更重要。

【來源：驅動中國】